[发明专利]CMP用研磨液以及研磨方法有效
| 申请号： | 201210226495.0 | 申请日： | 2009-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102766409A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 筱田隆;田中孝明;金丸真美子;天野仓仁 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14;B24B37/04;H01L21/3105;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质、分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂和氧化剂，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种CMP用研磨液，其特征在于，其含有介质、分散在所述介质中的胶态二氧化硅粒子、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂和氧化剂，所述氧化金属溶解剂选自有机酸、有机酸酯、有机酸的盐、无机酸和无机酸的盐，所述金属防蚀剂选自具有三唑骨架的物质、具有吡唑骨架的物质、具有吡啶骨架的物质、具有咪唑骨架的物质、具有胍骨架的物质、具有噻唑骨架的物质和具有四唑骨架的物质，所述氧化剂选自过氧化氢、硝酸、过碘酸钾、次氯酸和臭氧水中的至少一种，所述胶态二氧化硅粒子满足下面（1）～（3）的条件：（1）从通过扫描电子显微镜观察所述胶态二氧化硅粒子得到的图像中选择任意的20个粒子，所述20个粒子的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）具有与在所述（1）中求得的二轴平均一次粒径（R1）相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的所述胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值S1/S0为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的所述胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在所述（1）中求得的二轴平均一次粒径（R1）的比（缔合度：Rs/R1）为1.30以下。
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