[发明专利]一种GOI晶片结构的制备方法有效
| 申请号： | 201210225637.1 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102738060A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 张苗;叶林;狄增峰;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GOI晶片结构的制备方法，该方法首先利用Smart-Cut技术制作出SGOI晶片结构，然后对SGOI晶片结构进行锗浓缩，从而得到GOI晶片结构。由于利用Smart-Cut技术制作的SGOI在SGOI/BOX界面基本不存在失配位错，从而最终降低了GOI的穿透位错。本发明工艺简单，可实现高质量GOI晶片结构，大大改进了锗浓缩技术，离子注入技术、退火技术在目前半导体行业都是非常成熟的工艺，该制备方法大大提高了锗浓缩在半导体工业界广泛应用的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 goi 晶片 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GOI晶片结构的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）利用智能剥离工艺制备出SGOI结构；2）对所述SGOI结构进行锗浓缩，形成依次包含有第二Si衬底、绝缘埋层BOX、Ge层、SiO2层的层叠结构；3）腐蚀掉所述层叠结构表面的SiO2层以得到GOI结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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