[发明专利]一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201210220038.0 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102709468A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 章晓中;王集敏;万蔡华;朴红光 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 薄观玖 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域，特别涉及一种砷化镓基几何巨磁电阻器件及其制备方法。该砷化镓基几何巨磁电阻器件在矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片表面的4个角上分别设有1个金属电极，4个金属电极呈矩形或梯形。其制备方法为：将GaAs 基片用酒精或丙酮漂洗干净后裁剪成矩形，将高纯软金属分别沉积或压制成金属电极于矩形单晶GaAs基片的4个角上，即可得到砷化镓基几何巨磁阻器件。所得到的砷化镓基几何巨磁阻器件具有显著的磁电阻效应，其磁电阻大于常规GaAs基磁电阻器件的磁电阻。所得到的砷化镓基几何巨磁阻器件的结构简单，原材料价格适中，制备工艺简单，且环境友好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓基 几何 磁电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种砷化镓基几何巨磁阻器件，其特征在于：在矩形单晶GaAs（100）或矩形单晶GaAs（111）基片表面的4个角上分别设置1个金属电极；4个金属电极呈矩形或梯形，其中，在长度方向上的两个金属电极之间的间距用LC表示，在宽度方向上的两个金属电极之间的间距用WC 表示，两间距的比值大于0.5，即LC/WC >0.5。
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