[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法无效
| 申请号： | 201210210727.3 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN102842658A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 中村亮 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种用于制造一种发光器件的方法，该发光器件的发射性能通过根据发射波长优化发光层的势垒层的Al组成比来改善。通过交替堆叠InGaN阱层和AlGaN势垒层来形成多量子阱(MQW)结构发光层。每个阱层和每个势垒层形成为满足以下关系：12.9≤-2.8x+100y≤37和0.65≤y≤0.86，或者满足以下关系：162.9≤7.1x+10z≤216.1和3.1≤z≤9.2，在此，x表示势垒层的Al组成比(摩尔％)，并且y表示势垒层与阱层之间的带隙能之差(eV)，并且z表示阱层的In组成比(摩尔％)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 iii 氮化物 半导体 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述第III族氮化物半导体发光器件包括其中阱层和势垒层以重复方式交替堆叠的多量子阱结构发光层，其中每个所述阱层由含有In的第III族氮化物半导体形成，每个所述势垒层由含有Al的第III族氮化物半导体形成并且具有比所述阱层的带隙能大的带隙能，所述方法包括：将所述阱层和所述势垒层形成为满足以下关系：12.9≤‑2.8x+100y≤37和0.65≤y≤0.86，在此，x表示所述势垒层的Al组成比(摩尔％)，所述势垒层的所述Al组成比定义为所述势垒层的Al摩尔数与总的第III族原子的摩尔数之比，并且y表示所述势垒层与所述阱层之间的带隙能差(eV)。
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