[发明专利]测量肖特基势垒高度的装置和方法有效

专利信息
申请号: 201210209958.2 申请日: 2012-06-19
公开(公告)号: CN102735665A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 刘宗顺;赵德刚;陈平;江德生 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种测量肖特基势垒高度的装置及方法,包括:光源、光斩波器、第一透镜、待测样品、第一源表、第二透镜、单色仪、探测器、锁相放大器、第二源表和计算机,该计算机控制单色仪、第一源表和第二源表,实现第一源表对肖特基势垒样品的偏置电压扫描,从得到的肖特基势垒区域选定波长下的光荧光强度与偏置电压变化曲线中确定肖特基势垒高度数值。利用本发明,由于肖特基势垒高度是从测量的光荧光强度随偏置电压的变化特性中得到的,避免了器件边沿并联电阻漏电效应对肖特基势垒高度测量的影响,具有测量精度高、一致性好、非破坏性等优点。
搜索关键词: 测量 肖特基 势垒高度 装置 方法
【主权项】:
一种测量肖特基势垒高度的装置,其特征在于,包括:一光源,用于提供该装置的光信号源,以激发待测样品的肖特基势垒区域,发出光荧光;一光斩波器,用于对入射到待测样品的肖特基势垒区域的光束斩波,同步输出信号接到锁相放大器的参考信号输入端;一第一透镜,位于待测样品前,汇聚光信号源发出的光束到待测样品的肖特基势垒区域内;一待测样品,放置在样品台上,该待测样品的肖特基势垒区域表面与入射光束成一定角度,使肖特基势垒区域表面反射的光束不进入汇聚第二透镜和光谱仪;一第一源表,与待测样品连接,用于向待测样品提供正或负偏置电压,对待测样品进行电压扫描和测量相应偏置电压下的电流;一第二透镜,放置在垂直于待测样品的肖特基势垒区域表面方向的前方,汇聚肖特基势垒区域发出的光荧光,入射到其后的单色仪;一单色仪,用于接收肖特基势垒区域发出的光荧光,对光荧光进行波长选定或扫描,入射到其后的探测器;一探测器,用于测量肖特基势垒区域不同偏压下发出的光荧光经单色仪选定波长下的光强度;一锁相放大器,锁相放大器的信号输入端与探测器的信号输出端相连,用于测量探测器输出端的信号;一第二源表,与锁相放大器的输出端相连,用于测量锁相放大器的输出端电压;以及一计算机,用于控制单色仪、第一源表和第二源表,实现第一源表对肖特基势垒样品的偏置电压扫描,从得到的肖特基势垒区域选定波长下的光荧光强度与偏置电压变化曲线中确定肖特基势垒高度数值。
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