[发明专利]一种可抑制颗粒沉积的硅晶片精抛光组合液及其制备方法有效
| 申请号： | 201210209794.3 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102775915A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 龚桦;顾忠华;邹春莉;潘国顺 | 申请（专利权）人： | 深圳市力合材料有限公司;深圳清华大学研究院;清华大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 518108 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可抑制颗粒沉积的硅晶片精抛光组合液及其制备方法，属于化学机械抛光（CMP）领域，特别涉及一种可抑制颗粒沉积的硅晶片精抛光组合液。本发明包括胶体二氧化硅/水溶性聚合物复合磨粒、含羟基和/或胺基的表面保护剂、碱性化合物、表面活性剂和去离子水；该精抛光组合液的pH值为8～12。本发明与现有技术相比有效的抑制了颗粒的沉积，提高了抛光后硅晶片表面的精度和质量。本发明的精抛光组合液所用原料易得，无污染，符合环保要求且容易进行大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可抑制 颗粒 沉积 晶片 抛光 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可抑制颗粒沉积的硅晶片精抛光组合液，其特征在于，该精抛光组合液包括胶体二氧化硅/水溶性聚合物复合磨粒、含羟基和/或胺基的表面保护剂、碱性化合物、表面活性剂和去离子水；该精抛光组合液的pH值为8～12。
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