[发明专利]一种二氯二氢硅除杂方法有效
申请号: | 201210209360.3 | 申请日: | 2012-06-19 |
公开(公告)号: | CN102701216A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 万烨;严大洲;毋克力;肖荣辉;汤传斌 | 申请(专利权)人: | 中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 100038*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种二氯二氢硅除杂方法,包括以下步骤:a)对待除杂的液态二氯二氢硅通过金属丝网填料进行粗提纯,得到气态二氯二氢硅和富含杂质的液态高沸物;和b)通过吸附剂吸附除去所述气态二氯二氢硅中的硼、磷、以及金属杂质,得到高纯二氯二氢硅。根据本发明实施例的二氯二氢硅除杂方法,首先通过粗提纯的方法将沸点较低的二氯二氢硅汽化分离出来,再通过吸附剂除去气态二氯二氢硅中的硼、磷、以及金属杂质,得到高纯二氯二氢硅,该方法操作简单,所用设备投资少,能耗低,且得到产物二氯二氢硅纯度较高,产品质量好,可以带来一定经济效益。 | ||
搜索关键词: | 一种 二氯二氢硅 方法 | ||
【主权项】:
一种二氯二氢硅除杂方法,其特征在于,包括以下步骤:a)对待除杂的液态二氯二氢硅通过金属丝网填料进行粗提纯,得到气态二氯二氢硅和富含杂质的液态高沸物;和b)通过吸附剂吸附除去所述气态二氯二氢硅中的硼、磷、以及金属杂质,得到高纯二氯二氢硅。
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