[发明专利]具有集成微透镜的垂直外腔面发射半导体激光器无效
| 申请号： | 201210206752.4 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102723665A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张建伟;宁永强;刘云;秦莉;王立军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 具有集成微透镜的垂直外腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子学技术领域，为解决现有的VECSEL结构制作难度大，工作不稳定的问题，该激光器由下至上依次包括N面电极、N型衬底、N型DBR、有源层、氧化限制层、P型DBR和P面电极，还包括微透镜结构、外部耦合腔、外腔DBR反射镜；P面出光，微透镜结构位于出光口处且在所述P型DBR上制作形成，外部耦合腔生长在微透镜结构上，外腔DBR反射镜生长在外部耦合腔上；N面出光，所述微透镜结构位于出光口处且在所述N型DBR上制作形成，外部耦合腔生长在微透镜结构上，外腔DBR反射镜生长在外部耦合腔上，本发明一体结构消除了外腔镜中心与出光口中心对不准的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 集成 透镜 垂直 外腔面 发射 半导体激光器 | ||
【主权项】：
具有集成微透镜垂直外腔面发射半导体激光器，由下至上依次包括N面电极（10）、N型衬底（1）、N型DBR（2）、有源层（3）、氧化限制层（4）、P型DBR（5）和P面电极（9），其特征在于，还包括微透镜结构（6）、外部耦合腔（7）、外腔DBR反射镜（8）；所述微透镜结构（6）位于出光口处且在所述P型DBR（5）上制作形成，所述外部耦合腔（7）生长在微透镜结构（6）上，外腔DBR反射镜（8）生长在外部耦合腔（7）上。
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