[发明专利]一种硅杯结构的热扩散率传感器芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210201502.1 | 申请日： | 2012-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102721721A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 赵立波;周睿;蒋庄德;李支康;赵玉龙;王晓坡;刘志刚 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅杯结构的热扩散率传感器芯片及其制备方法，所述芯片包括SOI晶片，该SOI晶片包括单晶硅、设置于单晶硅上的埋层二氧化硅和设置于埋层二氧化硅上的硅基底；硅基底上设有一个暴露出底部埋层二氧化硅的绝热腔；绝热腔的底面上设有加热器、第一温度传感器和第二温度传感器，加热器和第二温度传感器中心对称的设置于第一温度传感器周围，加热器设置于第一温度传感器和第二温度传感器之间。测量时传热过程在腐蚀的绝热腔内进行，绝热效果良好，测量精度高；该芯片能充分的检测各个方向的热量传递，响应快，同时又能检测流体在不同方向上热传递的差异；通过对4个加热器选择性的通电或者加载不同功率能得到更多数据使测量结果更加真实可信。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 扩散 传感器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅杯结构的热扩散率传感器芯片，其特征在于，包括SOI晶片，该SOI晶片包括单晶硅（4）、设置于单晶硅（4）上的埋层二氧化硅（5）和设置于埋层二氧化硅（5）上的硅基底（6）；硅基底（6）上设有一个暴露出底部埋层二氧化硅（5）的绝热腔；绝热腔的底面上设有若干加热器（1）、第一温度传感器（2）和若干第二温度传感器（3），所述若干加热器（1）和若干第二温度传感器（3）中心对称的设置于第一温度传感器（2）周围，所述加热器（1）设置于第一温度传感器（2）和第二温度传感器（3）之间。
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