[发明专利]自对准GaAs FinFET结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210183270.1 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456638A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自对准GaAs FinFET结构及其制造方法，通过对硅衬底中已有的FinFET的鳍形沟道区进行Ga、As离子注入，形成自对准GaAs FinFET，利用GaAs本身比Si或SiGe大的电子迁移率，提高FinFET器件的驱动电流；同时利用鳍形GaAs沟道区与源区、漏区以及其底部衬底的晶格失配，向鳍形GaAs沟道区中引入应力，进一步增大电子迁移率，提高FinFET器件的驱动电流；进一步的，在栅极堆叠结构表面形成应力层，将应力层的机械应力通过栅极转移到GaAs沟道区，提高FinFET器件的驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 gaas finfet 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准GaAs FinFET结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；刻蚀所述衬底形成源区、漏区以及位于源区和漏区之间的鳍形沟道区；形成围绕在所述鳍形沟道区两侧和上方的虚拟栅极结构；在所述虚拟栅极结构以及所述衬底表面沉积掩膜层；平坦化所述掩膜层，以暴露出所述虚拟栅极顶部；以所述掩膜层为掩膜，去除所述虚拟栅极结构，形成暴露出所述鳍形沟道区的开口；以所述掩膜层为掩膜，向所述开口底部的鳍形沟道区中进行Ga、As离子注入，形成鳍形GaAs沟道区；以所述掩膜层为掩膜，形成围绕在所述鳍形GaAs沟道区两侧和上方的栅极堆叠结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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