[发明专利]一种套刻测量的标记和方法有效
| 申请号： | 201210181486.4 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103454861A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张青云 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种套刻测量标记，所述标记在x-y面分为第一至第四区域，在z方向上具有多层介质层，其中，第一和第二区域具有第一光栅结构，第二和第三区域具有第二光栅结构，第四区域不具有光栅结构，第一光栅结构和第二光栅结构分别处于不同的介质层上，第一光栅结构和第二光栅结构具有相同的周期，两者之间的套刻误差为d。利用该标记可较容易地同时测量CD形貌和套刻误差。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 标记 方法 | ||
【主权项】：
一种套刻测量标记，所述标记在x‑y面分为第一至第四区域，在z方向上具有多层介质层，其中，第一和第二区域具有第一光栅结构，第二和第三区域具有第二光栅结构，第四区域不具有光栅结构，第一光栅结构和第二光栅结构分别处于不同的介质层上，第一光栅结构和第二光栅结构具有相同的周期，两者之间的套刻误差为d。
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