[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210172592.6 | 申请日： | 2012-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102810523A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 中野诚也;友松佳史 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置，能够防止紧邻金属膜的端部下方的表面电极由于金属膜的端部的应力而受到损伤。本发明的半导体装置的特征在于，具备：衬底（24）；表面电极（26），在该衬底（24）之上用包含铝的材料形成；金属膜（28），在该表面电极（26）之上用能够进行焊接的材料形成；端部固定膜（30），该表面电极（26）之上的部分和与该金属膜（28）的端部重叠的重叠部分（30a）一体地形成，固定该金属膜（28）的端部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：衬底；表面电极，在所述衬底之上用包含铝的材料形成；金属膜，在所述表面电极之上用能够进行焊接的材料形成；以及端部固定膜，所述表面电极之上的部分和与所述金属膜的端部重叠的重叠部分一体地形成，固定所述金属膜的端部。
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