[发明专利]磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法有效
| 申请号： | 201210167894.4 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103456622A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李成材;江家兴;范育嘉;陈松宽;王兴华;杨淳吉;庄宗仁 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，在此方法中，根据产品待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值，并根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值，然后根据各批次晶圆的所述产品待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸。此外，根据所述补酸的量推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。 | ||
| 搜索关键词： | 磷酸 工艺 控制 氧化物 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种磷酸工艺控制氧化物蚀刻率的方法，其特征在于所述方法包括：根据产品待蚀刻层的不同预设在进行磷酸工艺对应的多个氧化物蚀刻率下降值；根据补酸的量的不同预设多个氧化物蚀刻率上升值；根据各批次晶圆的所述产品待蚀刻层的不同所对应的所述氧化物蚀刻率下降值，推算一氧化物蚀刻率模拟值，当所述氧化物蚀刻率模拟值超出管制界线，则进行补酸；以及根据所述补酸的量，推算所述氧化物蚀刻率上升值，以决定所述氧化物蚀刻率模拟值的上升程度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
