[发明专利]一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法有效
申请号: | 201210162934.6 | 申请日: | 2012-05-24 |
公开(公告)号: | CN103426750B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 陈莹莹;曹秀亮 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人: | 张静洁,徐雯琼 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其包含1、晶圆上依次溅镀钛金属层、氮化钛层、铝金属层和氮化钛薄膜;2、涂覆光刻胶并进行显影;3、紫外线硬化处理光刻胶;4、湿法蚀刻制成镀有氮化钛薄膜的金属线;5、去除氮化钛薄膜上的光刻胶;6、清洗晶圆表面以及镀有氮化钛薄膜的金属线;7、湿法蚀刻掉未制成金属线区域内的钛金属层、氮化钛层、金属线上镀有的氮化钛薄膜;8、蚀刻后灰化处理;9、蚀刻后检查。本发明在金属层上增加氮化钛薄膜,利用氮化钛薄膜的平滑表面,优化光刻胶与金属层之间的附着力,解决金属线上金属线切口的问题,提高产品良率;该增加的氮化钛薄膜最后可用湿法蚀刻去除,以获得和原来一样的金属层结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属线 切口 问题 金属 湿法 蚀刻 方法 | ||
【主权项】:
一种无金属线切口问题的金属湿法蚀刻方法,其特征在于,该方法包含以下步骤:步骤1、在晶圆上依次溅镀钛金属层、氮化钛层和铝金属层,再在铝金属层的表面上溅镀一层氮化钛薄膜;步骤2、采用光刻,在铝金属层上的整个氮化钛薄膜的表面上涂覆光刻胶,再根据光刻掩膜版的设计进行显影,在晶圆上需要制成金属线的区域内保留光刻胶;步骤3、对氮化钛薄膜表面上涂覆的光刻胶进行紫外线硬化工艺处理;步骤4、在未涂覆有光刻胶的区域内采用湿法蚀刻去除铝金属层和铝金属层表面上氮化钛薄膜,从而在涂覆有光刻胶的区域内制成镀有氮化钛薄膜的金属线;步骤5、将镀有氮化钛薄膜的金属线上所涂覆的光刻胶去除;步骤6、清洗晶圆表面以及其上制成的镀有氮化钛薄膜的金属线;步骤7、将未制成金属线区域内的钛金属层、氮化钛层,以及金属线上镀有的氮化钛薄膜采用湿法蚀刻去除,完成金属线的制成;步骤8、对晶圆进行蚀刻后灰化处理;步骤9、对晶圆进行蚀刻后检查。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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