[发明专利]极紫外光刻掩模缺陷检测系统无效
申请号: | 201210156651.0 | 申请日: | 2012-05-18 |
公开(公告)号: | CN103424985A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;牛洁斌;史丽娜;朱效立;王子欧 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84;G03F1/22 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统,该极紫外光刻掩模缺陷检测系统包括极紫外光源、极紫外光传输系统(包括多层膜平面反射镜和多层膜凹面聚光镜)、极紫外光刻掩模、样品扫描台、光子筛、CCD相机、PC机、隔振台、真空腔和多层膜半反半透镜。该极紫外光刻掩模缺陷检测系统利用光子筛代替传统的史瓦西透镜,实现极紫外波段对掩模的成像,从而对掩模上的缺陷进行检测。本发明利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜,实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。 | ||
搜索关键词: | 紫外 光刻 缺陷 检测 系统 | ||
【主权项】:
一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统,其特征在于,该系统包括极紫外光源(1)、具有多层膜凹面聚光镜(2)和多层膜平面反射镜(3)的极紫外光传输系统、极紫外光刻掩模(4)、样品扫描台(5)、光子筛(6)、CCD相机(7)、PC机(8)、隔振台(9)、真空腔(10)和多层膜半反半透镜(11),其中:极紫外光源(1)经过激发后,发出点光源光束经过多层膜凹面聚光镜(2),聚焦到多层膜平面反射镜(3)上,经过多层膜半反半透镜(11),然后照明光子筛(6),光束被光子筛(6)聚焦到极紫外光刻掩模板4上,当聚焦光束从极紫外光刻掩模板4反射回来后,反射光携带缺陷图形信息被光子筛(6)聚焦至多层膜半反半透镜(11),反射光被多层膜半反半透镜(11)部分反射聚焦成像在CCD相机(7)上,CCD相机(7)将光子筛所成暗场像转换为数字信息,传输到PC机(8)中,PC机(8)确定缺陷类型和缺陷位置;然后样品扫描台(5)再次调整极紫外光刻掩模(4)位置,重新成像,直到扫面完整块极紫外光刻掩模(4)。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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