[发明专利]一种BCD集成器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种BCD集成器件及其制造方法，用以解决现有技术中由于制作掩埋层和外延层的工艺成本很高，从而使其应用范围受到限制的问题。本发明实施例的方法包括：衬底、超高压nLDMOS、高压PMOS和低压NPN，其中超高压nLDMOS、高压PMOS和低压NPN位于衬底中。由于超高压nLDMOS、高压PMOS和低压NPN直接制作在衬底中的，不需要传统工艺中的外延层，从而降低了制造成本，提高了性价比，扩大了其应用范围，弥补了现有技术的不足。

主权项

一种双极型晶体三极管‑互补金属氧化物半导体场效应晶体管‑双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管BCD集成器件，包括衬底，其特征在于，还包括超高压N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管nLDMOS、高压P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOS和低压N型双极型晶体三极管NPN；其中，所述超高压nLDMOS、高压PMOS和低压NPN位于所述衬底中。