[发明专利]增强导电氧化物层雾度的方法及透明导电氧化物透明基底无效
| 申请号： | 201210148061.3 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103426968A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 路胜博 | 申请（专利权）人： | 杜邦太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 唐华明 |
| 地址： | 中国香港新界白石角香港科学园*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增强透明导电氧化物层雾度的方法及具有雾度的透明导电氧化物透明基底，所述方法包括：提供透明基底；在透明基底上形成材质为透明氧化物晶体的中间层；利用物理气相沉积工艺在所述中间层上沉积氧化锌基材质的透明导电氧化物层；其中，作为中间层的透明氧化物晶体在形成过程中，至少在部分区域内所述透明氧化物晶体提供与氧化锌基的（11-20）面晶格匹配的晶向，使得对应区域内的透明导电氧化物层的（11-20）面外露。通过增设具有特殊晶向的中间层，实现在物理气相沉积形成透明导电氧化物层时对透明导电氧化物层晶向的控制，使得较不平坦的晶面朝上设置而外露，从而达到对透明导电氧化物层雾度的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 导电 氧化物 层雾度 方法 透明 基底 | ||
【主权项】：
一种增强透明导电氧化物层雾度的方法，其特征在于，包括：提供透明基底；在透明基底上形成材质为透明氧化物晶体的中间层；利用物理气相沉积工艺，在所述中间层上沉积氧化锌基材质的透明导电氧化物层；其中，作为中间层的透明氧化物晶体在形成过程中，至少在部分区域内所述透明氧化物晶体提供与氧化锌基的（11‑20）面晶格匹配的晶向，以使得对应区域内的透明导电氧化物层的（11‑20）面外露。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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