[发明专利]闪存装置有效

专利信息
申请号: 201210147687.2 申请日: 2012-05-11
公开(公告)号: CN102915763A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 杨青松;景文澔;古惟铭;陈永祥;王世辰;陈信铭 申请(专利权)人: 力旺电子股份有限公司
主分类号: G11C16/02 分类号: G11C16/02;G11C16/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 史新宏
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提出一种闪存装置,包括多个存储单元及多个写入控制电压产生器。其中各存储单元通过控制端点接收写入控制电压,并依据写入控制电压以执行数据写入的操作。其中各写入控制电压产生器包括预充电压传送器及升压电容。这些预充电压传送器并依据预充驱动信号在第一时间周期提供预充电压至对应的存储单元的控制端点。推升电压在第二时间周期被提供至升压电容,并在存储单元的控制端点上产生写入控制电压。
搜索关键词: 闪存 装置
【主权项】:
一种闪存装置,包括:多个存储单元,其中各该存储单元通过控制端点接收写入控制电压,并依据该写入控制电压执行数据写入的操作;以及多个写入控制电压产生器,分别耦接该多个存储单元,其中各该写入控制电压产生器包括:预充电压传送器,耦接至各该存储单元的控制端点,该些预充电压传送器依据预充驱动信号在第一时间周期时,提供预充电压至对应的存储单元的控制端点;以及升压电容,耦接在各该存储单元的控制端点及推升电压间,该推升电压在第二时间周期被提供至该升压电容,并在该多个存储单元的控制端点上产生该写入控制电压。
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