[发明专利]闪存装置

权利要求书

1.一种闪存装置，包括：

多个存储单元，其中各该存储单元通过控制端点接收写入控制电压，并依据该写入控制电压执行数据写入的操作；以及

多个写入控制电压产生器，分别耦接该多个存储单元，其中各该写入控制电压产生器包括：

预充电压传送器，耦接至各该存储单元的控制端点，该些预充电压传送器依据预充驱动信号在第一时间周期时，提供预充电压至对应的存储单元的控制端点；以及

升压电容，耦接在各该存储单元的控制端点及推升电压间，该推升电压在第二时间周期被提供至该升压电容，并在该多个存储单元的控制端点上产生该写入控制电压。

2.根据权利要求1所述的闪存装置，其中该预充电压传送器包括：

预充写入开关，耦接在该预充电压以及对应的该存储单元的控制端点间，该预充写入开关并且于该第一时间周期依据该预充驱动信号以导通，以将该预充电压传送至该控制端点。

3.根据权利要求2所述的闪存装置，其中该预充写入开关包括：

第一晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其中该第一晶体管的第一端及第二端分别耦接至对应的该存储单元的控制端点及该预充电压，并且该第一晶体管的控制端接收该预充驱动信号。

4.根据权利要求3所述的闪存装置，其中该预充写入开关还包括：

第二晶体管，耦接在该第一晶体管耦接对应的该存储单元的控制端点的路径间，该第二晶体管具有第一端、第二端以及控制端，其中该第二晶体管的第一端耦接至对应的该存储单元的控制端点，该第二晶体管的第二端耦接至该第一晶体管的第一端，并且该第二晶体管的控制端接收一控制信号。

5.根据权利要求1所述的闪存装置，其中该预充电压传送器包括：

第一预充写入开关，耦接在第一预充电压以及对应的该存储单元的控制端点间；以及

第二预充写入开关，耦接在第二预充电压以及对应的该存储单元的控制端点间，

其中，该第一预充写入开关以及该第二预充写入开关分别受控于第一预充驱动信号以及第二预充驱动信号，该第一预充写入开关传送该第一预充电压至对应的该存储单元的控制端点，或是该第二预充写入开关传送该第二预充电压至该对应的存储单元的控制端点。

6.根据权利要求5所述的闪存装置，其中该第一预充写入开关包括：

第一晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其中该第一晶体管的第一端及第二端分别耦接至对应的该存储单元的控制端点及该第一预充电压，并且该第一晶体管的控制端接收该第一预充驱动信号；以及

该第二预充写入开关包括：

第二晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其中该第二晶体管的第一端及第二端分别耦接至对应的该存储单元的控制端点及该第二预充电压，并且该第二晶体管的控制端接收该第二预充驱动信号。

7.根据权利要求6所述的闪存装置，其中该第一预充写入开关还包括：

第三晶体管，耦接在该第一晶体管耦接对应的该存储单元的控制端点的路径间，该第三晶体管具有第一端、第二端以及控制端，其中该第三晶体管的第一端耦接至对应的该存储单元的控制端点，该第三晶体管的第二端耦接至该第一晶体管的第一端，并且该第三晶体管的控制端接收第一控制信号；以及

该第二预充写入开关还包括：

第四晶体管，耦接在该第二晶体管耦接对应的该存储单元的控制端点的路径间，该第四晶体管具有第一端、第二端以及控制端，其中该第四晶体管的第一端耦接至对应的该存储单元的控制端点，该第四晶体管的第二端耦接至该第二晶体管的第一端，该第四晶体管的控制端接收第二控制信号。

8.根据权利要求7所述的闪存装置，其中该第二晶体管及该第四晶体管为P型晶体管，该第一晶体管及该第三晶体管为N型晶体管。

9.根据权利要求1所述的闪存装置，其中各该存储单元包括：

浮动栅极晶体管。

10.根据权利要求9所述的闪存装置，其中该浮动栅极晶体管的制造通过：

单一多晶硅互补金属氧化物半导体晶体管制程。

11.根据权利要求1所述的闪存装置，其中各该存储单元包括：

介电质储存晶体管。