[发明专利]一种多晶硅片晶向测试方法有效
| 申请号： | 201210147178.X | 申请日： | 2012-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102680444A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 付少永;熊震;刘振淮 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 213031 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种多晶硅片晶向测试方法。根据本发明的方法包括：获得硅片的光致发光成像图像；对所述光致发光成像图像进行处理，获得晶粒的成像亮度信息；基于晶粒的亮度信息判断晶粒的晶向。其中，基于以下标准进行判断：各晶向区域中，最亮的区域为<100>晶向，最暗的区域为<111>晶向，其他晶向介于二者之间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅片 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片晶向测试方法，包括：a)获得硅片的光致发光成像图像；b）对所述光致发光成像图像进行处理，获得晶粒的成像亮度信息；c）基于晶粒的亮度信息判断晶粒的晶向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210147178.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：安装部件的安装结构
- 下一篇：一种电磁炉检测电路系统
