[发明专利]一种多晶硅片晶向测试方法

权利要求书

1.一种硅片晶向测试方法，包括：

a)获得硅片的光致发光成像图像；

b）对所述光致发光成像图像进行处理，获得晶粒的成像亮度信息；

c）基于晶粒的亮度信息判断晶粒的晶向。

2.如权利要求1所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，所述步骤b）包括：对所述光致发光成像图像进行直方图分析，所述直方图为亮度和对应像素数目的直方图。

3.如权利要求2所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，所述步骤b）包括：通过直方图分析获得图像中亮度的3个高斯峰，以及相应的第一分割阈值和第二分割阈值，其中第一分割阈值的亮度值大于第二分割阈值。

4.如权利要求3所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，所述第一和第二分割阈值通过拟合相邻高斯峰之间的谷值获得。

5.如权利要求4所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，所述步骤c）包括：基于所述第一和第二分割阈值对所述光致发光成像图像进行图像分裂和归并。

6.如权利要求5所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，所述图像分裂和归并包括：

计算亮度值大于第一分割阈值的第一像素数目；

计算亮度值在第二分割阈值和第一分割阈值之间的第二像素数目，

计算亮度值小于第二分割阈值的第三像素数目。

7.如权利要求6所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，所述步骤c）包括：

根据所述第一、第二、和第三像素数目，计算相应图像区域所占面积的平均亮度值。

8.如权利要求7所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，所述步骤c）包括：根据所计算的各区域平均亮度值，基于以下标准判断区域的晶向：在各种晶向区域中，<100>晶向区域最亮，<111>晶向区域最暗，其他晶向区域介于二者之间。

9.如权利要求8所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，将平均亮度值最低的区域判断为位错区域。

10.如权利要求1所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，在步骤b）之前，测试硅片的电阻率信息，并基于电阻率对所述光致发光成像图像的图像亮度进行标准化。

11.如权利要求1所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，在所述步骤a）中，光致发光曝光时间为1～50s，或5～30s，或10～20s。

12.如权利要求1所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，光致发光所用的激光光源波长为904nm、或500nm。

13.如权利要求1所述的硅片晶向测试方法，其特征在于，光致发光使用短波长激光光源。

14.使用如权利要求1－13中任一项所述的方法，用于测定多晶硅的晶向。

15.使用如权利要求1－13中任一项所述的方法，用于测定类单晶的晶向。