[发明专利]一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法，包括N-Type硅片本体，N-Type硅片本体的上、下表层分别具有B掺杂区组，相邻B掺杂区之间分别刻蚀有隔离槽，N-Type硅片本体的上、下表层上分别镀有氧化铝层，氧化铝层上镀有氮化硅层，氮化硅层上丝网印刷有电极。将电池分成若干子电池，子电池串联可以将硅片本身缺陷带来的电性能的损害降低到最小；电池双面受光，可以最大限度的吸收光子；电池的两面只有两根栅线，完全避免了遮光效应；钝化了所有硅片表面，使得每一个子电池都可以获得最佳性能。

主权项

一种新结构晶体硅太阳电池，包括N‑Type硅片本体（1），其特征在于：所述N‑Type硅片本体（1）的上、下表层中分别包括B掺杂区组和隔离槽组，所述的N‑Type硅片本体（1）的上、下表层上分别镀有氧化铝层（4），所述的氧化铝层（4）上镀有氮化硅层（5），所述氮化硅层（5）上丝网印刷有电极（6）。