[发明专利]一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201210141808.2 | 申请日： | 2012-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN102709377A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 王书博;邓伟伟;杨阳 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L27/142;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 晶体 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种新结构晶体硅太阳电池，包括N-Type硅片本体（1），其特征在于：所述N-Type硅片本体（1）的上、下表层中分别包括B掺杂区组和隔离槽组，所述的N-Type硅片本体（1）的上、下表层上分别镀有氧化铝层（4），所述的氧化铝层（4）上镀有氮化硅层（5），所述氮化硅层（5）上丝网印刷有电极（6）。
2.根据权利要求1所述的一种新结构晶体硅太阳电池，其特征在于：所述的隔离槽（3）分别逐个设置在相邻B掺杂区（2）之间，所述的隔离槽（3）内覆盖有氧化铝层（4）中的氧化铝，所述隔离槽（3）的宽度为100～200nm，隔离槽（3）的深度为80～120μm。
3.根据权利要求1所述的一种新结构晶体硅太阳电池，其特征在于：所述的B掺杂区（2）的宽度为1～2cm，B掺杂区（2）的深度为0.8～1μm。
4.根据权利要求1所述的一种新结构晶体硅太阳电池，其特征在于：所述的氧化铝层（4）的厚度为6～10nm。
5.根据权利要求1所述的一种新结构晶体硅太阳电池，其特征在于：所述的氮化硅层（5）的厚度为70～80nm。
6.根据权利要求1所述的一种新结构晶体硅太阳电池，其特征在于：所述的电极（6）宽度为0.5～1cm。
7.一种新结构晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于：①将硅片进行双面制绒，②双面涂上掺杂剂，③使用激光掺杂在硅片上形成B掺杂区组，④使用DRIE(反应离子刻蚀)技术再在相邻B掺杂区（2）之间分别刻蚀有隔离槽（3），⑤将硅片放到1%的KOH溶液中浸泡10分钟，以去除损伤层，⑥使用ALD方法在硅片的正反面制备氧化铝，⑦使用PECVD方法再在氧化铝层（4）的基础上双面镀氮化硅，⑧使用丝网印刷的方法印刷电极（6），⑨烧结。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
