[发明专利]提高导电性能的晶体硅太阳能电池无效
申请号: | 201210140699.2 | 申请日: | 2012-05-08 |
公开(公告)号: | CN102709360A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 许庭静 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0224 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及在晶体硅太阳能电池的技术领域,尤其是一种对EVA膜进行改性的提高导电性能的晶体硅太阳能电池,具有硅片和分别设置在硅片上方与下方的EVA膜,上方的EVA膜与硅片贴合的区域配置有至少一个透明导电层。本发明改善晶体硅太阳能电池正面导电性能,辅助正面银电极导电,提高组件的可靠性,能一定程度上提高组件功率;涂覆的透明高分子导电胶水可以改善粗糙的晶体硅太阳能电池正面与EVA膜表面结合的力学性能,提高了组件的封装可靠性,延长了组件的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 提高 导电 性能 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种提高导电性能的晶体硅太阳能电池,具有硅片(1)和分别设置在硅片(1)上方与下方的EVA膜(2),其特征在于:所述的上方的EVA膜(2)与硅片(1)贴合的区域配置有至少一个透明导电层(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的