[发明专利]一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备有效
| 申请号： | 201210131540.4 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102674366A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吕佩文;黄丰;董建平;颜峰岥;林璋;黄嘉魁;黄顺乐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备。该设备进料腔、石墨坩埚、水冷坩埚依次排列，高度逐渐降低；石墨坩埚使用石墨隔离带将坩埚分为熔化区与蒸发区，坩埚为整体加热，加热可使用石墨加热器或中频加热，结构简单；块状或粉末状硅原料由进料腔加入到石墨坩埚进行熔化，当硅水液面高于石墨隔离带后，硅水从熔化区流入到蒸发区；流经蒸发区的硅水流入到水冷坩埚内，完成浇铸。该设备可以在高真空条件下连续熔炼，去除硅中的O、P、N、S、Al、Ca等挥发性杂质。本发明具有高真空、高温、连续熔炼的技术特点，拥有能耗低、无耗材、成本低、易于操作与控制的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 连续 熔炼 提纯 太阳 能级 材料 设备 | ||
【主权项】：
一种真空连续熔炼提纯太阳能级硅材料的设备，包括进料腔、石墨坩埚、水冷坩埚、石墨隔离带、真空腔、二级真空、熔化区、蒸发区、加热器、倾斜机构，其特征在于：石墨坩埚为整体加热，加热可使用石墨加热器加热或中频感应加热。
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