[发明专利]一种半导体薄膜的测量系统有效
| 申请号： | 201210129807.6 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102650661A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 郝金刚 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及半导体薄膜的测量系统，用于较准确的测量出半导体薄膜的特性参数。使用本发明实施例提供的半导体薄膜的测量系统，通过在半导体薄膜的上方和下方分别构成电容板，由上下电容板之间的电容等可以确定出半导体薄膜的电容，进而根据其他可测量参数确定出相对介电常数等。而且，可以在半导体薄膜的不同区域分别设置上电容板，通过确定出的若干个半导体薄膜的电容，可以判断出半导体薄膜的均匀性是否良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 薄膜 测量 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体薄膜的测量系统，其特征在于，包括：电荷生成器，用于产生第一电荷，并将所述第一电荷传输到基台；所述基台，具有导电功能，用于作为下电容板向基板提供第一电荷；所述基板，放置在提供第一电荷的基台上，上表面镀有半导体薄膜；上电容板，位于所述半导体薄膜上方，当所述基台提供第一电荷时，所述上电容板产生与所述第一电荷电性相反的第二电荷；处理器，用于根据从所述基台和所述上电容板获取的所述第一电荷的第一电荷总量和第二电荷的第二电荷总量，确定出所述基台至所述上电容板之间的总电容值C；根据所述基板的电容值c1、所述半导体薄膜和所述上电容板之间的空间电容值c2、以及所述总电容值C，确定出所述基板上半导体薄膜的电容值c3，其中， 1 C = 1 c 1 + 1 c 2 + 1 c 3 .
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