[发明专利]读出放大电路及存储器有效
申请号: | 201210129351.3 | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN103377687B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 周泉;马庆容;沈晔晖;刘岐;倪成峰;俞惠芬 | 申请(专利权)人: | 上海复旦微电子集团股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 200433 上海市杨浦区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种读出放大电路及存储器。所述读出放大电路包括多位存储单元构成的基本物理单元,各位存储单元对应连接于各自的读出位线;所述基本物理单元经由第一选通管选通;与所述基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组,其中各基准单元与各位存储单元一一对应,对应连接于各自的基准电压线,并且与对应各位存储单元的结构完全相同;所述基准单元组经由第二选通管选通;所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同;读出放大器,连接上述多根读出位线及基准电压线,根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果,输出相应的读出数据。所述读出放大电路可以提高读取存储器时的数据读出速度。并且,可延长存储器的使用寿命。 | ||
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【主权项】:
一种读出放大电路,其特征在于,包括:多位存储单元构成的基本物理单元,各位存储单元对应连接于各自的读出位线;所述基本物理单元经由第一选通管选通;多个所述基本物理单元构成存储单元阵列,所述存储单元阵列包括n行m列个所述基本物理单元,n和m均为自然数;所述存储单元阵列中,沿列方向的相邻两行所述基本物理单元呈镜像结构;各基本物理单元对应接收行选地址信号和列选地址信号,在相应行选地址信号有效及相应列选地址有效时被选通;与所述基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组,其中各基准单元与各位存储单元一一对应,对应连接于各自的基准电压线,并且与对应各位存储单元的结构完全相同;所述基准单元组经由第二选通管选通;所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同;两个所述基准单元组构成基准单元阵列,其中一基准单元组对应偶数行存储单元,另一基准单元组对应奇数行存储单元;所述两个基准单元组中,一基准单元组通过反相器接收最低位行地址信号,另一基准单元组直接接收最低位行地址信号;所述两个基准单元组基于最低位行地址信号择一选通;读出放大器,连接上述多根读出位线及基准电压线,根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果,输出相应的读出数据。
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