[发明专利]CVD SiC/SiO2梯度抗氧化复合涂层及其制备方法有效
| 申请号： | 201210129286.4 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102659451A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李国栋;梁武;熊翔;张红波;吴敏 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C04B41/52 | 分类号： | C04B41/52;C23C16/44;C23C16/32;C23C16/40;C23C16/30 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 邓建辉 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CVD SiC/SiO2梯度抗氧化复合涂层及其制备方法，主要用于石墨、C/C复合材料及易氧化陶瓷基材料(如C/C-陶瓷复合材料、C/陶复合材料、碳化物陶瓷等)的长时间抗氧化保护。涂层采用化学气相沉积(CVD)方法制备，具有良好的可控性和可设计性。涂层由SiC涂层、SiO2涂层及SiC与SiO2共沉积涂层组成。涂层由一种梯度构成，或由多个梯度构成多层复合梯度涂层，即由内至外涂层依次为SiC/SiC-SiO2/SiO2涂层，或依次SiC/SiC-SiO2/SiC～SiO2/SiC-SiO2/SiO2涂层，或依次为SiC/SiC-SiO2/SiO2/SiO2-SiC/SiC/SiC-SiO2/SiO2…SiC/SiC-SiO2/SiO2，或为SiC/SiC-SiO2/SiO2-SiC/SiC-SiO2/…/SiO2-SiC/SiC-SiO2/SiO2，或为SiC/SiC-SiO2/SiC～SiO2/SiO2-SiC/SiC～SiO2/…/SiC～SiO2/SiC-SiO2/SiO2，或仅为SiC～SiO2共沉积涂层。所制备的梯度复合涂层在室温至1700℃都具有良好的长时间抗氧化性能。 | ||
| 搜索关键词： | cvd sic sio sub 梯度 氧化 复合 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CVD SiC/SiO2梯度抗氧化复合涂层，其特征在于：由采用化学气相沉积方法制备的SiC涂层、SiO2涂层及SiC与SiO2共沉积涂层组成，或仅由采用化学气相沉积方法制备的SiC与SiO2共沉积涂层组成。
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