[发明专利]一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210127249.X 申请日: 2012-04-27
公开(公告)号: CN103372232A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 甘俊杰;谭丽丽;杨柯;李扬德;李卫荣 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所;东莞宜安科技股份有限公司
主分类号: A61L27/32 分类号: A61L27/32;A61L31/08;C25D11/30
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 代理人: 张晨
地址: 110015 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及生物医用可降解镁基金属材料的表面改性领域,具体为一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层及其制备方法。本发明所获涂层的表面微观形貌区别于常规的微弧氧化涂层(多孔特征),本发明微弧氧化放电形成的孔洞绝大部分直接被含有钙磷的物质充填,涂层致密度高,无需后续的封孔处理来提高涂层的耐蚀性。另外,无论是放电形成的多孔结构或是多孔中的充填化合物都具有同样的化学成分,表面含有的钙、磷元素的原子含量百分比分别达到了3~6%和9~15%,涂层含有的钙、磷、氟元素大大的提高了该涂层的生物活性。自封孔的特性还摒弃了一些常规微弧氧化后所需的后续封孔处理工艺,因而简单可行,具有很强的实用性,可用作各类镁植入材料的表面处理。
搜索关键词: 一种 植入 材料 氧化 自封 活性 涂层 及其 制备 方法
【主权项】:
一种镁基植入材料微弧氧化自封孔活性涂层,其特征在于:该涂层是一种含钙磷且自封孔的微弧氧化活性涂层。
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