[发明专利]一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法，该方法包含以下三个步骤：用HF溶液，去除电池片的磷硅玻璃或Si3N4膜；用表面腐蚀液对硅片进行表面腐蚀从而将残留的硅片上的异常痕迹同时去除，达到将较难清洗返工片清洗干净的目的；经HF溶液清洗，除去腐蚀过程中产生的SiO2等杂质；再经HCl溶液清洗，去金属离子等杂质。较难清洗返工片经过该清洗方法处理后，进行重新扩散，及后道工序，最终电池片的转换效率可以达到正常电池片的水平，而且外观也与正常电池片无异，达到了返工清洗的目的。经过本发明的清洗，较难清洗返工片返工后的合格率由原来的50%提高到95%。

主权项

一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法，其特征是，包括以下步骤：1）用HF溶液去除较难清洗返工硅片上的磷硅玻璃或Si3N4膜；2）用表面腐蚀液对步骤1）处理过的硅片进行表面腐蚀，去除残留在硅片上的异常痕迹，清洗硅片；3）经HF溶液清洗，除去步骤2）腐蚀过程中产生的杂质；4）将步骤3）处理后的硅片经HCl溶液清洗，去除金属离子杂质。