[发明专利]表面等离子体共振芯片及应用该芯片的传感器有效
| 申请号： | 201210114149.3 | 申请日： | 2012-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103376244A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 祁志美;张喆;逯丹凤;柳倩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N21/55 | 分类号： | G01N21/55;G01N21/41 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面等离子体共振芯片及应用该芯片的传感器。该表面等离子体共振芯片，包括：承载件；敏感膜，形成于承载件的一表面，其材料为金银合金。本发明采用金银合金敏感膜代替了以往广泛采用的纯金薄膜，其成本大大降低，灵敏度大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 等离子体 共振 芯片 应用 传感器 | ||
【主权项】：
一种表面等离子体共振芯片，包括：承载件；敏感膜，形成于所述承载件的一表面，其材料为金银合金。
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