[发明专利]悬浮纳米线场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种悬浮纳米线场效应晶体管及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上形成有栅极；在栅极周围形成第一侧墙和第二侧墙，第一侧墙位于第二侧墙和栅极之间，且第二侧墙的材料为金属；形成源极和漏极，在垂直栅极延伸方向源极和漏极横跨栅极、第一侧墙、第二侧墙；在形成源极和漏极之前或之后，在第二侧墙裸露在外的表面形成石墨烯层；去除源极和漏极之间的第二侧墙部分，使源极和漏极之间的石墨烯层部分呈悬浮状态，且源极和漏极之间的石墨烯层部分作为纳米沟道。本技术方案，当场效应晶体管处于关闭状态时，可以降低栅极和源极、漏极之间具有的漏电流；另外，由于石墨烯的导电性非常好，因此可以提高悬浮纳米线场效应晶体管的性能。

主权项

一种形成悬浮纳米线场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极；在所述栅极周围形成第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于第二侧墙和所述栅极之间，且所述第二侧墙的材料为金属；形成源极和漏极，在垂直所述栅极延伸方向所述源极和漏极横跨所述栅极、第一侧墙、第二侧墙；在所述第二侧墙裸露在外的表面形成石墨烯层；去除源极和漏极之间的第二侧墙部分，使源极和漏极之间的石墨烯层部分呈悬浮状态，且所述源极和漏极之间的石墨烯层部分作为纳米沟道。