[发明专利]具有屏蔽导通柱的半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210104521.2 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102610582A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 郑宏祥;林子智;洪常瀛;吴志伟 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/552;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明关于一种具有屏蔽层的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一基板、一内金属层、一屏蔽层、一绝缘材料、一金属层、一钝化层及一重布层。该内金属层位于该基板的一贯穿孔内。该屏蔽层环绕该内环金属。该绝缘材料位于该内金属层及该屏蔽层之间。该金属层位于该基板的一表面，且接触该屏蔽层，而不接触该内金属层。该重布层位于该钝化层的一开口以接触该内金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 导通柱 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括一基板，该基板具有一导通柱，该导通柱包含一内金属层及一屏蔽层，该内金属层环绕该基板的一贯穿孔的一中心轴，该屏蔽层环绕该内金属层。
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