[发明专利]高压发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 201210104324.0 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103258836A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 杨志伟;张简庆华 | 申请（专利权）人： | 华新丽华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾桃园县杨*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高压发光二极管芯片及其制造方法，该高压发光二极管芯片可经由形成数个发光二极管单元于一基板上，以及电性连接所述发光二极管单元而制得，其中各相邻的所述发光二极管单元间具有一宽度为0.5微米至7微米的沟槽，以隔离各所述发光二极管单元。该高压发光二极管芯片的工艺简易且展现令人满意的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造高压发光二极管芯片的方法，包含：形成数个发光二极管单元于一基板上，其中各相邻的所述发光二极管单元间具有一沟槽，该沟槽具有一0.5微米至7微米的宽度，以隔离各所述发光二极管单元；以及电性连接所述发光二极管单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
