[发明专利]一种超结MOSFET的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210099815.0 申请日: 2012-04-06
公开(公告)号: CN103367157A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 马万里;赵文魁 申请(专利权)人: 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种超结MOSFET的制备方法,在刻蚀出深沟槽的N型外延层上制备P型外延层,使用P型外延层填满深沟槽的部分直接作为P型漂移区,使用P型外延层高出于P型漂移区和N型外延层的部分制备P型体区,即在P型外延层预先定义为N型区域的部分注入N型离子,得到N型区域,这样,P型外延层高出于N型外延层和P型漂移区的部分被形成的N型区域隔开,形成了各P型体区。通过优化P型漂移区和P型体区的形成过程,能够简化超结MOS的制作流程,降低生产成本,并且,避免使用成本较高的化学机械抛光工艺,也能降低生产成本。
搜索关键词: 一种 mosfet 制备 方法
【主权项】:
一种超结MOSFET的制备方法,其特征在于,包括:在N型衬底的上表面制备N型外延层,并在所述N型外延层上刻蚀出深沟槽;在刻蚀出深沟槽的N型外延层上制备P型外延层,其中,所述P型外延层填满所述深沟槽的部分作为P型漂移区;在所述P型外延层高出于所述N型外延层的预先定义为N型区域的部分,注入N型离子,形成N型区域,所述P型外延层高出于所述N型外延层和所述P型漂移区且被所述N型区域隔开的部分形成P型体区;在所述P型体区和N型区域上制备栅氧化层和多晶层,并对所述多晶层进行刻蚀,形成栅极;在所述P型体区的预先定义为N型源区的部分注入N型离子,形成N型源区;在栅极上制备介质层,并制备源极和漏极。
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