[发明专利]软性电子装置及其制作方法有效
申请号: | 201210092783.1 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN102629593A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 方俊雄;林瑜玲 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;王颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种软性电子装置及其制作方法,该制作方法包含:形成第一层于基材上,以定义第一区域与围绕第一区域的第二区域,以至少局部地暴露出第一区域中的基材,且第一层位于第二区域中;形成第二层于第一区域与第二区域上方的第一层上,因而第二层与第一区域中的基材间的附着力较第二层与第二区域中的第一层间的附着力弱;形成电子装置层于第一区域上方的第二层上,EDL定义出边界,此边界投影地位于第一区域中;以及通过沿着轮廓切穿第一层与第二层的方式,将EDL与基材分离,此轮廓位于第一区域中但不小于边界。 | ||
搜索关键词: | 软性 电子 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种软性电子装置的制作方法,其特征在于,包含:(a)提供一基材,该基材具有一第一表面及相对的一第二表面;(b)形成一第一层于该基材的该第一表面上,以在该基材中定义出一第一区域及一第二区域,该第二区域围绕该第一区域,如此至少局部地暴露出该第一区域中的该基材的该第一表面,且该第一层至少部分位于该第二区域中;(c)形成一第二层于该第一区域与该第二区域上方的该第一层上,如此该第二层与该第一区域中的该基材的一附着力较该第二层与该第二区域中的该第一层的一附着力弱;(d)形成一电子装置层于该第一区域上方的该第二层上,其中该电子装置层在该第一区域上定义出一边界,且该边界投影地位于该第一区域中;以及(e)通过沿着一轮廓切穿该第二层的方式,将该电子装置层与部分的该第二层与该基材分离,其中该轮廓相等于或大于该电子装置层的该边界但不超出该第一区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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