[发明专利]软性电子装置及其制作方法有效
申请号: | 201210092783.1 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN102629593A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 方俊雄;林瑜玲 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;王颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 软性 电子 装置 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种软性电子装置,特别是有关于一种软性电子装置的制作方法。
背景技术
有两种方法主要用以制造软性显示器:卷对卷(roll to roll)以及贴附软性基材至玻璃基材。对于后者的方法,已证明从玻璃基材分离软性基材以便完成软性显示器的制造过程为一艰巨的事。一种公知离型方法将牺牲层插入软性基材与玻璃基材之间,其中牺牲层的材料为氧化物,此氧化物可吸收某些波长的激光的能量。借着激光扫掠玻璃基材的背面,氧化层吸收穿透玻璃基材的激光能量,如此一来软性基材与玻璃基材分离。然而,激光的使用增加成本且对电子零件造成损伤。
另一方法设置一有机离型层于软性基材与玻璃基材之间。然而,在制造有机离型层的期间可能形成小岛结构,此些小岛结构可能造成孔洞形成于软性基材中、以及软性基材的非均匀厚度。
因此,在此领域中,存在一个至今仍未提出的需求,以对付上述缺陷与不足。
发明内容
在本发明的一态样中,一种软性电子装置的制作方法,包含:提供基材;形成第一层于基材上,以在基材中定义出第一区域与第二区域,第二区域围绕第一区域,以至少局部地暴露出第一区域中的基材,且第一层至少部分位于第二区域中;形成第二层于第一区域与第二区域上方的第一层上,因而第二层与第一区域中的基材间的附着力较第二层与第二区域中的第一层间的附着力弱;形成电子装置层于第一区域上方的第二层上,其中电子装置层在第一区域上定义出边界,且此边界投影地位于第一区域中;以及通过沿着轮廓切穿第二层的方式,将电子装置层和部分的第二层与基材分离,此轮廓相等于或大于电子装置层的边界,但不超出第一区域。
在本发明的另一态样中,一种软性电子装置的制作方法,包含:提供基材,此基材具有第一表面与相对的第二表面;涂布第一聚酰胺酸(Polyamic Acid;PAA)在基材的第一表面上,以形成第一聚亚酰胺(Polyimide)层,借以在基材中定义出第一区域与第二区域,其中第一聚亚酰胺层形成在第一区域上,且第二区域围绕第一区域;涂布第二聚酰胺酸于基材的第一区域中的第一聚亚酰胺层与基材的第二区域上,以形成第二聚亚酰胺层在第一聚亚酰胺层与第二区域上,其中第二聚酰胺酸以有机硅烷合成,如此第一聚亚酰胺层与第一区域中的基材间的附着力较第二聚亚酰胺层与第二区域中的基材间的附着力弱;形成电子装置层于第一区域上方的第二聚亚酰胺层上,其中电子装置层于第一区域上定义出边界,且此边界投影地位于第一区域中;以及通过沿着轮廓切穿第二聚亚酰胺层与第一聚亚酰胺层的方式,将电子装置层、部分的第二聚亚酰胺层和部分的第一聚亚酰胺层与基材分离,此轮廓相等于或大于电子装置层的边界,但不超出第一区域。
在本发明的又一态样中,本发明关于一种依照以上所公开的方法所制作的软性电子装置。
本发明的这些与其他态样从结合下列附图所做的较佳实施例的描述中将变得更明显,然而在不偏离本发明公开的新观念的精神与范围下,可变更其中的变化与变异。
附图说明
所附附图绘示出本发明的一或多个实施例,连同所载描述,用以解释本发明的原理。只要有可能,相同参考符号应用于整个附图中,以表示一实施例的相同或相似元件,其中:
图1A至图1G图绘示根据本发明的一实施例的一种软性电子装置的制作工艺的示意图;
图2A至图2H绘示根据本发明的另一实施例的一种软性电子装置的制作工艺的示意图;以及
图3A至图3H绘示根据本发明的又一实施例的一种软性电子装置的制作工艺的示意图。
其中,附图标记
110:基材 111:第一区域
112:第一表面 113:第二区域
114:第二表面 120:助粘层
126:掩膜 128:紫外光
130:塑胶层 140:电子装置层
142:边界 210:基材
211:第一区域 212:上表面
213:第二区域 214:第二表面
220:抗剥离层 222:图案
224:图案 226:光阻
228:等离子 230:塑胶层
240:电子装置层 242:边界
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造