[发明专利]软性电子装置及其制作方法有效
申请号: | 201210092783.1 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN102629593A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 方俊雄;林瑜玲 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;王颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 软性 电子 装置 及其 制作方法 | ||
1.一种软性电子装置的制作方法,其特征在于,包含:
(a)提供一基材,该基材具有一第一表面及相对的一第二表面;
(b)形成一第一层于该基材的该第一表面上,以在该基材中定义出一第一区域及一第二区域,该第二区域围绕该第一区域,如此至少局部地暴露出该第一区域中的该基材的该第一表面,且该第一层至少部分位于该第二区域中;
(c)形成一第二层于该第一区域与该第二区域上方的该第一层上,如此该第二层与该第一区域中的该基材的一附着力较该第二层与该第二区域中的该第一层的一附着力弱;
(d)形成一电子装置层于该第一区域上方的该第二层上,其中该电子装置层在该第一区域上定义出一边界,且该边界投影地位于该第一区域中;以及
(e)通过沿着一轮廓切穿该第二层的方式,将该电子装置层与部分的该第二层与该基材分离,其中该轮廓相等于或大于该电子装置层的该边界但不超出该第一区域。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中形成该第一层的步骤包含形成由一助粘材料所组成的一助粘层于该基材的该第一表面上。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,其中该助粘材料包含有机硅烷。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,其中形成该助粘层的步骤包含:
以该助粘材料涂布该基材的该第一表面;以及
在一第一温度下烘烤该助粘材料涂布的该基材一第一段时间,以形成该助粘层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,其中该第一温度的范围介于50℃至250℃,且该第一段时间的范围介于5分钟至10分钟。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,其中形成该助粘层的步骤包含以该助粘材料气相涂布该基材的该第一表面,以形成该助粘层。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,其中形成该第一层的步骤还包含:
转印具有一图案的一掩膜于该助粘层上,其中该图案对应于该第一区域与该第二区域;
在空气或氧气的一环境中,以一紫外光处理该掩膜,借以使该紫外光照射该第一区域上的该助粘层,且该第二区域上的该助粘层被遮蔽而不受该紫外光照射;以及
在照射该紫外光后,移除该第一区域上的部分该助粘层。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,其中该处理步骤在一第二温度且在一烘箱中进行一第二段时间。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,其中该第二温度的范围介于25℃至300℃,且该第二段时间的范围介于1分钟至10分钟。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中形成该第一层的步骤包含形成由一抗剥离材料组成的一抗剥离层于该基材的该第一表面上,其中该抗剥离材料包含一金属氧化物。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,其中该抗剥离材料包含氧化铟锡。
12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,其中形成该抗剥离层的步骤包含溅镀或气相涂布该抗剥离材料于该基材的该第一表面上的步骤。
13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,其中形成该第一层的步骤还包含:
定义该抗剥离层上的具有一图案的一光阻,其中该图案对应于该第一区域与该第二区域;
蚀刻该第一区域上的该抗剥离层,借以至少局部地暴露出该第一区域中的该基材;以及
移除该光阻。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,其中图案化该第一区域上的该抗剥离层,以使该第一区域的一未暴露部分为该第一区域的0.1%至30.0%,且该第二区域的面积大于该第一区域的该未暴露部分的面积。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,其中图案化该第一区域上的该抗剥离层,以使图案化后的该抗剥离层具有一狭缝图案、一岛型图案或一网纹图案。
16.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,其中该第一层的另一部分位于该第一区域中,该第二区域的一单位面积上的该第一层的该部分的面积大于该第一区域的一单位面积上的该第一层的该另一部分的面积,且该第二区域的该第一层的面积大于该第一区域的该第一层的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造