[发明专利]使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法

摘要

本发明涉及使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法，包括提供初始结构，包括衬底，有源区，及栅极叠层；在栅极叠层两侧的有源区中进行离子注入，使得部分衬底材料预非晶化以形成非晶态材料层；形成第一侧墙；以第一侧墙为掩蔽，进行各向异性刻蚀，形成凹槽，在第一侧墙下方的非晶态材料层得以保留；利用表现出对非晶态材料层各向同性并且对其刻蚀速率大于或基本等于对衬底材料{100}、{110}面的刻蚀速率但远大于对衬底材料{111}面的刻蚀速率的腐蚀溶液进行湿法刻蚀，从而将第一侧墙下方的非晶态材料层去除，导致在非晶态材料层下方的衬底材料暴露在所述溶液中并被刻蚀，最终形成延伸到栅极叠层下方附近区域的Sigma形凹槽；在Sigma形凹槽内外延形成硅锗。

主权项

一种PMOS器件的制作方法，包括以下步骤：提供初始结构，其包括衬底（10），在衬底中形成的包括沟道区的有源区，以及在沟道区上方形成的栅极叠层；在栅极叠层两侧的有源区中进行离子注入，从而使得部分衬底材料预非晶化以形成非晶态材料层（150）；在栅极叠层两侧形成第一侧墙（155）；以第一侧墙为掩蔽，进行自对准各向异性刻蚀，从而形成凹槽（160），在第一侧墙下方的非晶态材料层得以保留；利用表现出对非晶态材料层各向同性并且对其刻蚀速率大于或基本等于对衬底材料{100}、{110}面的刻蚀速率但远大于对衬底材料{111}面的刻蚀速率的腐蚀溶液进行湿法刻蚀，从而将第一侧墙（155）下方的非晶态材料层迅速去除，导致在非晶态材料层下方的衬底材料暴露在所述溶液中并被刻蚀，最终形成延伸到栅极叠层下方附近区域的Sigma形凹槽（170）；以及在Sigma形凹槽（170）内外延形成硅锗。