[发明专利]晶圆表面处理系统有效
| 申请号： | 201210088237.0 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103367197A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 温子瑛 | 申请（专利权）人： | 无锡华瑛微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214135 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭露了一种晶圆表面处理系统，其包括微腔室处理装置和化学制剂回收装置。所述微腔室处理装置包括上腔室部和下腔室部，当所述上腔室部和所述下腔室部处于关闭位置时形成一微腔室，所述半导体晶圆安装于所述微腔室内，所述上腔室部和/或所述下腔室部包括一个或多个供未使用的化学制剂进入所述微腔室的入口和一个或多个供已使用的化学制剂处理液排出所述微腔室的出口。化学制剂回收装置，其接收从所述微腔室的出口排出的已使用的化学制剂处理液以及来自外部的水，并由已使用的化学制剂处理液和来自外部的水还原出所述化学制剂。这样，可以实现对使用后的化学制剂进行回收再利用，从而降低产出废液排放，减小对环境的影响，同时降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种晶圆表面处理系统，其特征在于，其包括：微腔室处理装置，其包括上腔室部和下腔室部，所述上腔室部和所述下腔室部在一驱动装置的驱动下在一装载和/或移除半导体晶圆的打开位置和一用于容纳该半导体晶圆的关闭位置之间相对移动，当所述上腔室部和所述下腔室部处于关闭位置时形成一微腔室，所述半导体晶圆安装于所述微腔室内，所述上腔室部和/或所述下腔室部包括一个或多个供未使用的化学制剂进入所述微腔室的入口和一个或多个供已使用的化学制剂处理液排出所述微腔室的出口；化学制剂回收装置，其接收从所述微腔室的出口排出的已使用的化学制剂处理液以及来自外部的水，并由已使用的化学制剂处理液和来自外部的水还原出所述化学制剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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