[发明专利]晶圆表面处理系统

权利要求书

1.一种晶圆表面处理系统，其特征在于，其包括：

微腔室处理装置，其包括上腔室部和下腔室部，所述上腔室部和所述下腔室部在一驱动装置的驱动下在一装载和/或移除半导体晶圆的打开位置和一用于容纳该半导体晶圆的关闭位置之间相对移动，当所述上腔室部和所述下腔室部处于关闭位置时形成一微腔室，所述半导体晶圆安装于所述微腔室内，所述上腔室部和/或所述下腔室部包括一个或多个供未使用的化学制剂进入所述微腔室的入口和一个或多个供已使用的化学制剂处理液排出所述微腔室的出口；

化学制剂回收装置，其接收从所述微腔室的出口排出的已使用的化学制剂处理液以及来自外部的水，并由已使用的化学制剂处理液和来自外部的水还原出所述化学制剂。

2.根据权利要求1所述的晶圆表面处理系统，其特征在于，所述化学制剂为酸性或碱性化合物溶液，已使用的化学制剂处理液包括从所述半导体晶圆上处理下来的金属离子以及未消耗完的酸性或碱性化合物，

所述化学制剂回收装置包括依次间隔设置的阴极、第二阴离子交换膜、第一阳离子交换膜、第一阴离子交换膜、第二阳离子交换膜和阳极，在第一阳离子交换膜和第一阴离子交换膜之间可填充有离子交换树脂，其中阴极和第二阴离子交换膜之间形成第一极水室，第二阴离子交换膜和第一阳离子交换膜之间形成第一浓水室，第一阳离子交换膜和第一阴离子交换膜之间形成淡水室，第一阴离子交换膜和第二阳离子交换膜之间形成第二浓水室，第二阳离子交换膜和阳极之间形成第二极水室，在阴极和阳极之间加直流电压。

3.根据权利要求2所述的晶圆表面处理系统，其特征在于，所述化学制剂为酸性化合物溶液，已使用的化学制剂处理液流入淡水室，淡水室流出的液体进入第一浓水室，来自外部的水分别流入第一极水室、第二浓水室以及第二极水室，第二浓水室流出的液体为从所述淡水室渗透过来的阴离子的溶液，含还原出的可回收的酸性化学制剂；第一浓水室流出的液体为含从所述淡水室渗透过来的阳离子的溶液。

4.根据权利要求2所述的晶圆表面处理系统，其特征在于，所述化学制剂为碱性化合物溶液，已使用的化学制剂处理液流入淡水室，淡水室流出的液体进入第二浓水室，来自外部的水分别流入第一极水室、第一浓水室以及第二极水室，第二浓水室流出的液体为从所述淡水室渗透过来的阴离子的溶液，第一浓水室流出的液体为含从所述淡水室渗透过来的阳离子的溶液，含还原出的可回收的碱性化学制剂。

5.根据权利要求3或4所述的晶圆表面处理系统，其特征在于，第一极水室流出的液体经过脱气装置后又流入第一极水室，第二极水室流出的液体经过脱气装置后又流入第二极水室。

6.根据权利要求1所述的晶圆表面处理系统，其特征在于，所述下腔室部包括形成所述下工作表面的下腔室板和容纳所述下腔室板的下盒装置，所述下盒装置包含侧面开口的无盖空腔，所述下腔室板可从所述侧面开口滑动进入或者移出所述无盖空腔。

7.根据权利要求6所述的晶圆表面处理系统，其特征在于，所述无盖空腔的侧面形成有开口，且所述无盖空腔对应于所述下腔室板的下部的边缘形成有凹槽，所述下腔室板从所述侧面开口沿所述凹槽滑动进入或者移出所述无盖空腔。

8.根据权利要求7所述的晶圆表面处理系统，其特征在于，所述半导体处理装置还包括一插件，所述插件的形状符合所述侧面开口的形状，当所述下腔室板装载进入所述无盖空腔后，通过将所述插件插入所述侧面开口固定所述下腔室板在所述无盖空腔内。

9.根据权利要求6所述的晶圆表面处理系统，其特征在于，所述无盖空腔的表面包含有可导引流体最终流向同一方向的导流凹槽。

10.根据权利要求9所述的晶圆表面处理系统，其特征在于，所述导流凹槽包括排布在所述无盖空腔的下表面的若干个倾斜角度和倾斜方式相同、互相并列的斜坡面，所述斜坡面的坡底位于所述侧面开口处。