[发明专利]一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法

摘要

本发明公开了一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法，在利用掩膜对MOS器件的源极漏极执行离子注入的步骤如下步骤1所述的掩膜包含附加掩膜部分，所述的附加掩膜部分设置在多晶硅栅极上方；步骤2利用包含附加掩膜部分的掩膜执行源极和漏极的离子注入。本发明能够提供一种新的方法，无需额外成本，可以采用同一进程形成相同结构但阈值电压不同的器件。

主权项

一种采用同一进程形成多种阈值电压MOS器件的方法，其特征在于，在利用掩膜对MOS器件的源极漏极执行离子注入的步骤如下：步骤1：所述的掩膜包含附加掩膜部分（PR3），所述的附加掩膜部分（PR3）设置在多晶硅栅极（G）上方；步骤2：利用包含附加掩膜部分（PR3）的掩膜执行源极（S）和漏极（D）的离子注入；所述的附加掩膜部分（PR3）的一端靠近源极（S）侧，该附加掩膜部分（PR3）覆盖将要形成的源极（S）与多晶硅栅极（G）的重叠区，但不影响源极（S）的离子注入；另一端为MOS器件在正常工作时导通状态的源端沟道夹断点。