[发明专利]一种适用于具有多处理腔的半导体设备的传输腔顶盖有效
| 申请号： | 201210081782.7 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103367195B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 赵洪涛;王喆;张杰;马东;吴奇昆;沈瑜俊;孙亭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于具有多处理腔的半导体设备的传输腔顶盖，其中，所述半导体设备包含传输腔，以及呈星型设置在所述传输腔周围的若干处理腔；所述传输腔包含晶片传输缓冲区和晶片存储区，且晶片存储区的顶部高于晶片传输缓冲区；所述顶盖设置在半导体设备的传输腔的顶端；该顶盖包含固定顶盖和可拆卸顶盖；所述固定顶盖设置在晶片存储区的顶端，其与晶片存储区的腔体一体设置，所述可拆卸顶盖设置在晶片传输缓冲区的顶端。本发明所提供的适用于具有多处理腔的半导体设备的传输腔顶盖，其拆卸部分重量较轻，且保证在顶盖拆卸时不会与晶片发生碰撞移位而致使晶片碎裂报废的情况发生，能有效提高半导体设备的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 具有 处理 半导体设备 传输 顶盖 | ||
【主权项】：
一种适用于具有多处理腔的半导体设备的传输腔顶盖，其中，所述半导体设备包含传输腔（1），以及呈星型设置在所述传输腔（1）周围的多个处理腔（2）；所述传输腔（1）包含晶片传输缓冲区（11）和晶片存储区（12），且所述晶片存储区（12）的顶部高于晶片传输缓冲区（11）；其特征在于，所述顶盖设置在所述半导体设备的传输腔（1）的顶端；所述顶盖包含固定顶盖（14）和可拆卸顶盖（15）；所述固定顶盖（14）设置在晶片存储区（12）的顶端，其与晶片存储区（12）的腔体为一体设置；所述可拆卸顶盖（15）设置在晶片传输缓冲区（11）的顶端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
