[发明专利]高密度等离子机台的预沉积方法有效
| 申请号： | 201210081665.0 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102586758A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 姜剑光;徐雷军;刘峰松;陆金;陈怡骏 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高密度等离子机台的预沉积方法，包括：采用第一频功率在所述高密度等离子机台的腔室内壁上沉积第一薄膜；采用第二频功率在第一薄膜上沉积第二薄膜，所述第二频功率的频率大于第一频功率。本发明采用第一频功率在腔室内壁上沉积第一薄膜，所述第一薄膜在晶片沉积工艺之前沉积，使得所述第一薄膜与腔室内壁结合性好，再采用第二频功率在第一薄膜上沉积第二薄膜，所述第二薄膜的沉积速率小于第一薄膜的沉积速率，使得所述第二薄膜致密性好，有更大的压应力，同时与后续的晶片沉积工艺更接近，从而避免了后续晶片沉积工艺对腔室内壁的刻蚀损伤，避免产生掉落的颗粒物污染晶片，同时第一薄膜和第二薄膜保护腔室内壁上的部件。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 等离子 机台 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种高密度等离子机台的预沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：采用第一频功率在所述高密度等离子机台的腔室内壁上沉积第一薄膜；采用第二频功率在第一薄膜上沉积第二薄膜，所述第二频功率的频率大于第一频功率。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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