[发明专利]减少太阳能硅片腐蚀厚度的制造工艺

摘要

本发明涉及一种减少太阳能硅片腐蚀厚度的制造工艺，硅片依次经过去除表面损伤层、硅片表面制作单面氮化硅掩膜、表面织构化、去除氮化硅掩膜、扩散制结、去除磷硅玻璃、等离子刻边、沉积氮化硅减反膜、印刷背面电极、印刷铝背场、印刷正面电极、烧结分选成品。本发明的减少太阳能硅片腐蚀厚度的制造工艺通过制作单面掩膜，掩膜为氮化硅，阻挡了制绒液和硅片表面接触，减少硅片表面的腐蚀厚度，进而降低碎片率；另外，未被制绒液腐蚀的表面保持原有的平整结构，烧结时易与铝浆形成较好的欧姆接触，减小串联电阻，降低背表面的复合，增加少子的收集率，从而提高了电池片的转换效率。

主权项

一种减少太阳能硅片腐蚀厚度的制造工艺，其特征在于：硅片依次经过去除表面损伤层、硅片表面制作单面氮化硅掩膜、表面织构化、去除氮化硅掩膜、扩散制结、去除磷硅玻璃、等离子刻边、沉积氮化硅减反膜、印刷背面电极、印刷铝背场、印刷正面电极、烧结分选成品。