[发明专利]一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法有效
| 申请号： | 201210073865.1 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN102560627A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 余学功;肖承全;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法，其中方法包括如下步骤：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。利用本发明方法制备得到的掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶可以将N型直拉硅单晶的整根晶体的电阻率控制在1.0～2.0Ω.cm范围内，有效提高N型硅晶体在制备太阳能电池过程中的利用率，从而显著降低太阳能电池的制造成本，操作简单，易于在光伏产业推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 电阻率 均匀 型直拉硅单晶 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶的方法，其特征在于：将多晶硅料、磷掺杂剂和镓混合后熔融，再利用直拉法生长硅单晶体。
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