[发明专利]主动阵列基板上的静电防护结构

摘要

本发明是提供一种主动阵列基板上的静电防护结构，其包含信号线、薄膜晶体管以及分流导线。薄膜晶体管包含金属氧化物半导体层，且第一金属氧化物半导体层的一宽长比小于1。分流导线电性连接薄膜晶体管的漏极。当信号线的一电压浪涌大于一定值时，电压浪涌经由薄膜晶体管分流至分流导线。

主权项

一种静电防护结构，位于一主动阵列基板上，其特征在于，该静电防护结构包含：一信号线；一第一薄膜晶体管，包含：一第一栅极，电性连接该信号线；一第一金属氧化物半导体层，位于该第一栅极上方，该第一金属氧化物半导体层具有一通道区，且该第一金属氧化物半导体层的通道区的一宽长比小于1；一第一源极，等电位连接该第一栅极；以及一第一漏极，经由该第一金属氧化物半导体层连接该第一源极，其中该第一源极和第一漏极分别位于该通道区的相对两侧；以及一分流导线，电性连接该第一漏极；其中当该信号线的一电压浪涌大于一定值时，该电压浪涌经由该第一薄膜晶体管分流至该分流导线。