[发明专利]液处理装置和液处理方法有效
| 申请号： | 201210067192.9 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102683245A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 西健治;竹下和宏;绪方信博;田中晓;沟田昌吾 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供液处理装置和液处理方法。能够利用简单的方法形成适合所进行的液处理的处理气氛。在用于在壳体内的处理空间(21)中向被处理基板(W)的表面供给处理液而进行液处理的液处理装置(2)中，旋转保持部(33、341)保持被处理基板并使其绕铅垂轴线旋转，处理液供给喷嘴(35)向旋转的被处理基板的表面供给处理液。第1气体供给部(23)为了形成适合上述液处理的处理气氛而形成在被处理基板的整个表面流动并流入到杯状件(31)中的第1气体的下降流，第2气体供给部(22)在该第1气体的下降流的外侧区域中形成与上述第1气体不同的第2气体的下降流。且第1气体供给部和第2气体供给部设在构成上述处理空间的壳体的顶部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种液处理装置，其用于向被处理基板的表面供给处理液而进行液处理，其特征在于，该液处理装置包括：壳体，在其中进行液处理；旋转保持部，其用于在该壳体内保持被处理基板并使该被处理基板绕铅垂轴线旋转；处理液供给喷嘴，其用于向被该旋转保持部保持并旋转的被处理基板的表面供给处理液；杯状件，其设置在上述旋转保持部的周围；第1气体供给部，其为了在上述被处理基板表面上形成处理气氛而配置在与被上述旋转保持部保持的被处理基板相对的位置，用于形成在上述被处理基板的整个表面流动、并流入到杯状件中的第1气体的下降流；第2气体供给部，其用于在该第1气体的下降流的外侧区域中形成与上述第1气体不同的第2气体的下降流，上述第1气体供给部和上述第2气体供给部设置在上述壳体的顶部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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