[发明专利]一种LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201210066265.2 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103311382A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 付学成;蔡凤萍;杨辉 | 申请（专利权）人： | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200030 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片及其制备方法，该制备方法主要是采用溶胶凝胶制备一种多孔SiO2薄膜作为电流阻挡层，用以改善现有技术中用PECVD的方法沉积二氧化硅时等离子体带来的P-GaN损伤，造成工作电压升高，以及不能减少P电极吸光的问题，本发明的LED芯片中由于多孔SiO2薄膜的存在，量子阱所发出的光被多孔SiO2薄膜多次反射和折射，部分光从电流阻挡层的侧面出来，减少了P电极吸光，进而提高芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)提供一蓝宝石衬底，并于所述蓝宝石衬底的上形成发光外延层；2)于所述发光外延层上制备一层多孔SiO2薄膜以作为电流阻挡层，并在所述发光外延层上制备出包覆该多孔SiO2薄膜的透明导电层；3)分别制备出P电极及N电极，以完成所述LED芯片的制备。
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