[发明专利]化合物薄膜太阳能电池的制作方法及制作的太阳能电池

摘要

一种化合物薄膜太阳能电池的制作方法及制作的太阳能电池，是于真空腔体内在高温下以溅镀方式配合持续通入的硒蒸气进行吸收材料层制作，而其双渐层制作过程的控制条件包括有三阶段，第一阶段是于正规化功率0.35W±10%与0.5W±10%时分别导入铟及铜镓，而铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5；第二阶段是于正规化功率0.1W±10%、0.2W±10%与0.75W±10%时分别导入铜镓、铜及铟，而该铜镓、铜与铟的掺杂浓度比例为1：2：7.5；第三阶段是于正规化功率0.35W±10%与0.5W±10%时分别导入铟及铜镓，而该铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5；另于单层制程中省略该第二阶段。藉此，可使本发明达到制作过程快速、无毒、良率佳以及可制成较大面积的功效。

主权项

一种化合物薄膜太阳能电池的制作方法，该太阳能电池的制作包括双渐层结构的吸收材料层的制作，其特征在于：所述吸收材料层是在真空腔体内于500‑600℃以溅镀方式配合持续通入的硒蒸气进行制作，该吸收材料层的双渐层的制作过程包括如下三阶段：第一阶段是于正规化功率0.35W±10%时导入铟，而于正规化功率0.5W±10%导入铜镓，且该铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5；第二阶段是于正规化功率0.1W±10%时导入铜镓，而于正规化功率0.2W±10%时导入铜，并于正规化功率0.75W±10%时导入铟，且该铜镓、铜与铟的掺杂浓度比例为1：2：7.5；以及第三阶段是于正规化功率0.35W±10%时导入铟，而于正规化功率0.5W±10%时导入铜镓，且该铟与铜镓的掺杂浓度比例为3.5：5。